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Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications.

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1 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications » du LAAS-CNRS, Toulouse G. Quadri doctorant, H. Martinez post-doctorant, O. Llopis CR A. Rennane doctorant, L. Bary ingénieur Projet 1 : Projet 2 : Contact : Distribution optique de signaux de référence de fréquence Modélisation de photo transistors Photo oscillateurs

2 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Projet 1 Photo TBH InP (1,55 µm) HEMT InP (1,55 µm) Photo TBH SiGe (0,85 µm) I(V) - Paramètres S Modélisation petit et fort signal en fonction de léclairement Modélisation en bruit

3 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Projet 2 Distribution optique de signaux de référence de fréquence dans un satellite de télécommunications But : conserver le faible bruit de phase de la référence 1) Étude du récepteur : Étude de différentes configurations : Photodiode + amplificateur Photodiode + amplificateur+filtre Photo oscillateur 2) Étude du laser : Fréquences concernées: 10 MHz, 800 MHz, bande C Collaboration: SupAero (GREMO) + Groupe Photonique LAAS Soutiens financiers : Alcatel Space Ind., Toulouse, Région Midi Pyrénées

4 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Liaison optique avec amplificateur Liaison optique avec amplificateur et filtre à quartz Liaison optique avec amplificateur, filtre à quartz et oscillateur Exemple de résultat pour une application à la transmission des signaux dOUS à 10 MHz

5 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Métal Polymère Diaphragme doxyde 3puitsquantiques GaAs/GaAlAs6nm Réflecteur deBragg n+ 30.5periodes Réflecteur deBragg p+ 20périodes SubstratGaAsn+ Métal Exemple : VCSEL pour lémission à 840nm sur substrat GaAs avec diaphragme doxyde enterré Travaux menés au LAAS sur les VCSELs groupe Photonique C. Bringer doctorante, V. Bardinal CR, T. Camps MDC, C. Fontaine DR Epitaxie de la structure verticale (MBE/EJM) : - Optimisation du gain des puits de la zone active - Minimisation de la Résistivité des DBRs - Contrôle des épaisseurs des couches Fabrication technologique du composant : Confinement latéral du courant dinjection Plusieurs géométries possibles Contact :

6 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai Faibles seuils I seuil = 250µA Puissance optique (mW) Courant (mA) 4µm-continu -Monomode transverse Intensité (u.a.) Longueur d'onde (nm) Résultats obtenus sur les VCSELs AlOx : courant de seuil et comportement spectral Faible taille de zones démission : Vue de dessus

7 Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002 Cavités couplées pour la génération THz ACI Photonique LAAS, CEM2-Montpellier, LAHC- Chambéry


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