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INJ Déplacement au CHREA ● CHREA Labo CNRS (INP) de Sophia-Antipolis –Spécialisé dans la croissance de matériaux ● Produit à proposer : photopiles 0.6A.

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1 INJ Déplacement au CHREA ● CHREA Labo CNRS (INP) de Sophia-Antipolis –Spécialisé dans la croissance de matériaux ● Produit à proposer : photopiles 0.6A en direct Pas homogène sur la surface –contact sur la surface en peigne ● Capacité de R&D jusqu’au prototypage ● Intéressé par le développement de nouveaux matériaux ! 1

2 INJ Situation du CHREA vis-à-vis de notre projet ● Vérifier si les solutions industrielles conviennent à nos besoins ● Dans un 2nd temps contacter des entreprises de taille plus modeste 35lab (Alcatel-Thales) / 3Sphotonics Beaucoup plus flexibles sur leurs produits –Adaptation à nos besoins spécifiques (Back illuminated) –Probablement onéreux –F. Cléva va les contacter ● Dans un 3eme temps, envisager une R&D avec le CHREA, Virgo et un industriel (type 35lab) dans le cadre d’un financement (type ANR) sur 3 ans 2

3 INJ Quelques pistes sur les technologies ● InGaAs Au titre d’alliage, n’est pas forcément le mieux adapté pour de fortes puissances incidentes Linéarité souffre aussi de cet aspect alliage ● Suggestion d’utilisation d’un matériau pur Meilleure linéarité, tenue à forte puissance, prix Si –Faible efficacité quantique à 1um Ge –Légèrement moins efficace que InGaAs ● Les arguments pour le choix de l’InGaAs sur Virgo sont-ils toujours valides? 3

4 INJ ● Sélection InGaAs : Devis obtenus –GPD, 319 $US, 3 semaines –Fermionics, 259 €, 1 à 2 semaines –Perkin Elmer, 390 €, 8 semaines, 5 exemplaires minimum ● Judson… produit spécifique, 918€, 2 à 4 semaines ● Envisager les solutions Si et Ge ? Ge : Judson Si : hamamatsu 4

5 INJ FabricantRéférenceAct. AreaQuant. Eff.Rev. Volt. Max HamamatsuG µm5 V + 10 V HamamatsuG µm2 V HamamatsuG µm5 V Perkin ElmerC µm5 V + breakdown = 50 V Roithner LasertechnikPT µm10 V FermionicsFD3000W3 1 µm2 V + 5 V GPD Optoelectronics Corp.GAP30103 mmno curve! 1.3 µm15 V eGtranPD3M-0013 mmno curve! 1,31 µm2 V EOSIGA-0303 mmno curve! 1,3 µmno data FabricantCapacitanceCapacitance on curve Hamamatsu1000 1V V Hamamatsu1000 1V800 2 V Hamamatsu1000 1V600 5 V Perkin Elmer V + 2 V V Roithner Lasertechnik V V V Fermionics750 pF(typ) 0 V380 5 V GPD Optoelectronics Corp V Vnone eGtran700 ?none EOS1000 ?none FabricantDark cur. Typ. (Max)Dark cur. on curveReverse current 1 V< Vnone 1 Vnone 1 V20 5 Vnone Perkin Elmer25 2 V45 10 V100 mA Roithner Lasertechnik200 5 Vnone10 mA Fermionics15 2 V28 5 Vnone GPD Optoelectronics 2 Vnone10 mA eGtran50 0,3 Vnone20 mA EOSno datanone 5


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