Intégration des microcavités sur chip 1) Contraintes et nécessités 2) Travaux d’intégration par « wafer bonding » 3) Proposition de design + Commentaires Francis Vanier 17 février 2010
Contraintes et Nécessités 1- Intégré 2- Relativement facile à produire 3- Permettre l’intégration de structures microfluidiques et/ou guides d’onde pour l’émission directionnelle 4- Contrôle du couplage : passif (fabrication) ou actif (MEMS) Limité par: 1- Cavité en SiO2 permettant une refonte et un haut « Q-factor » 2- Cavité suspendue 2- R.I. du/des guide(s) d’onde > R.I. de la structure de soutien -> Accessible : Si ou SiN 3- Les constantes de propagation βguide ≈ βcavité -> Guides ~ 500 nm Solution possible: 2 modules séparés: Guides et Cavité -> Lien par « wafer bonding »
Travaux d’intégration par « wafer bonding »
Travaux d’intégration par « wafer bonding »
Proposition de design Fabrication des guides d’ondes suspendus 1- Gaufre SOI 2- Litho + Gravure des guides (masque 1) 3- Libération des guides au centre, mais pas aux extrémités (voir masque 1)
Proposition de design Fabrication de la cavité 4 – Gaufre oxydée + Cr 5 – Photolitho + Cr etch + Gravure du SiO2 (masque 2) 6- Résine 7- Photolitho (masque 3) 8- Cr etch + gravure oxyde partielle 9- Refonte ou non
Proposition de design Étape du « wafer bonding » 10- « Wafer bonding » 11- Ouverture pour accès au Si pour électrode