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Une mutation technologique majeure 1945 Le premier ordinateur 18 000 tubes 200 m 3 150 opérations / s 10 kW 1 000 000 1 heure 1945 Le premier ordinateur.

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1 Une mutation technologique majeure 1945 Le premier ordinateur 18 000 tubes 200 m 3 150 opérations / s 10 kW 1 000 000 1 heure 1945 Le premier ordinateur 18 000 tubes 200 m 3 150 opérations / s 10 kW 1 000 000 1 heure 3 2002 Un microprocesseur 100 M transistors 2 cm 3 2 G opérations / s 150 W 500 10 années 2002 Un microprocesseur 100 M transistors 2 cm 3 2 G opérations / s 150 W 500 10 années M =1 000 000 = 1 million G =1 000 000 000 = 1 milliard Electronic Numerical Integrator And Computer

2 journée portes ouvertes comelec 2 et si les automobiles…... vitesse100 km/hx 10 5 3000 km/s consommation20 l / 100 km÷ 10 5 1 l / 500 000 km coût100 000 F ÷ 10 5 0,15 durée de marcheanx 10 4 10 000 ans masse1 t÷ 10 10 0,1 mg

3 journée portes ouvertes comelec 3 transistor = robinet à courant électrique 0,11µm

4 journée portes ouvertes comelec 4 transistor et fonctions logiques ab a b s s a b s ET OU a b s

5 journée portes ouvertes comelec 5 Technologie : coût Grandeur19702000 Coût du CI ( mm -2 )121,2 Densité (nb_tr mm -2 )200250k Nouvelle usine Si (volume du marché)1/2001/150 Nouvelle usine Si (M )121800

6 journée portes ouvertes comelec 6 Technologie : filière sable Purification par fusion de zone Découpe des tranches «wafer» «slice» Si Croissance dun lingot de Si, Ø 300mm ( Si 1400°C) Processus technologique photolithogravure… Découpe des puces «chip» «die» encapsulation «packaging»

7 journée portes ouvertes comelec 7 Technologie un exemple de contrainte Ø de tranche: 300mm Pureté du confinement classe 0,1 soit: nb_part Ø>0,14µm < 35 m -3 PWP<0,035@0,14µ «Particles per Wafer Pass» ©RECIF Toulouse 2002 http://www.recif.com/

8 journée portes ouvertes comelec 8 Si 3 N 4 Nitrure Si P-P- B N B=1*10 21 m -3 N-N- B P P=8*10 21 m -3 processus technologique CMOS Si SiO 2 t ox =5nm P+P+ SD P C BN B RPS N+N+ SD N C BP As W t ix =1µm V dd 0 PSG t=1µm poly t ix =0,4µm locos t oc =0,6µm es Al Cu t ix =1µm TiSi 2 siliciure


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