La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DANS UNE STRUCTURE OPTOELECTRONIQUE BIFACIALE ( N+-P-P+) AU SILICIUM A DIFFERENTS NIVEAUX D’ECLAIREMENT SOUS.

Présentations similaires


Présentation au sujet: "DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DANS UNE STRUCTURE OPTOELECTRONIQUE BIFACIALE ( N+-P-P+) AU SILICIUM A DIFFERENTS NIVEAUX D’ECLAIREMENT SOUS."— Transcription de la présentation:

1 DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DANS UNE STRUCTURE OPTOELECTRONIQUE BIFACIALE ( N+-P-P+) AU SILICIUM A DIFFERENTS NIVEAUX D’ECLAIREMENT SOUS LUMIERE BLANCHE. I-INTRODUCTION II-THEORIE III-METHODES IV- CONCLUSION - PERSPECTIVES

2 Figure a) : Structure d’une photopile monofaciale
Vue de dessus Figure a) : Structure d’une photopile monofaciale Lumière H n+ p+ p ZCE Figure b) : Photopile bifaciale ( étude unidimensionnelle )

3 - j(x) : densité des porteurs (électrons) - L : longueur de diffusion
B-EQUATION DE CONTINUITE (1) avec j =1,2,3 -       j(x) : densité des porteurs (électrons) -       L : longueur de diffusion -       D: constante de diffusion. Gj(x) : taux de génération: - face avant : (2) (3) - face arrière : - Eclairement simultané: (4)

4 Conditions aux Limites :
C- SOLUTIONS DE L’EQUATION DE CONTINUITE - face avant : (5) - face arrière : (6) - Eclairement simultané: (7) (8) Conditions aux Limites : - jonction (x=0 ) : (9) avec j=1,2,3 - face arrière (x=H ): (10)

5 D- PHOTOCOURANT , avec j=1,2,3 (11)
Figure 1 : Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison SF : éclairement par la face avant Figure 2 : Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison SF : éclairement par la face arrière

6 Figure 3 : Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison SF : éclairement simultané. Figure 4 : 1) éclairement face arrière ; 2) éclairement face avant ; 3) addition directe 1) et 2) ; 4) éclairement simultané des deux faces.

7 E- VITESSES DE RECOMBINAISON
, avec j=1,2,3 (12) - Face avant : (13a) (13b) - Face arrière : (14a) (14b) - Eclairement simultané : (15a) (15b)

8 F- PHOTOTENSION , avec j=1,2,3 (16) Boltzmann :
Figure 5 : Variation de la phototension en fonction de SF en éclairement par la face avant. Figure 6 : Variation de la phototension en fonction de SF en éclairement par la face arrière. Vitesse de recombinaison (SF=k.10k cm/s )

9 G- METHODES DE DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION
Figure 7 : Détermination de Leff par la technique de l’intersection des courbes théorique et expérimentale de la densité de photocourant en fonction de L dans les conditions de court-circuit Figure 8 : Détermination de Leff par la technique de l’intersection des courbes de calibration théorique et expérimentale.

10 Tableau : Résultats obtenus pour un éclairement simultané
RESULTATS Dispositif expérimental Tableau : Résultats obtenus pour un éclairement simultané Nombre de soleil n Jcc (mA) Leff (µm) Sb x104 (cm/s) 0.443 14.01 56 3.6 0.369 12.5 61 3.5 0.251 9.67 101 3.2 0.074 2.96 130 3.1 0.036 1.39 102 0.021 0.83 120 0.015 0.57 94

11 * Paramètres macroscopiques ( Rsh, Rs…) ;
H- CONCLUSION- PERSPECTIVES + Longueur de diffusion ; + Vitesse de recombinaison. * Paramètres macroscopiques ( Rsh, Rs…) ; * Elargissement de la Zone de Charge d’Espace ( capacité ZCE ).

12


Télécharger ppt "DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DANS UNE STRUCTURE OPTOELECTRONIQUE BIFACIALE ( N+-P-P+) AU SILICIUM A DIFFERENTS NIVEAUX D’ECLAIREMENT SOUS."

Présentations similaires


Annonces Google